はじめに

以前、秋月電子で200円で売られている高周波用のFET、NE76084（GaAs MESFET）をなんとなく40個購入した。18 GHzとかまでゲインが伸びていて、前からこれ使ってみたいなって思っていた。MESFET（metal-semiconductor field effect transistor）ってあまりなじみがないけど、ゲートをショットキー接合にしたFETで、動作的にはpn接合のJFETと同じなので使う分には難しくないと思う。データシートから、Sパラメータを取得できるので、今回は解析用に小信号モデルのパラメータ抽出をしてみた。

秋月電子のページ（NE76084）↓ akizukidenshi.com

チップの写真。マイクロXというパッケージで高周波用のトランジスタやアンプでたまに見かける。4本足だけど、そのうち2本はソース端子（写真では上下の2本）。

小信号モデル

FETの小信号モデルは下のを使うことにした。名前が「L~」と「Cp~」のパラメータは、パッケージの寄生成分（ボンディングワイヤとかそういうやつ）。真ん中のSRC1は電圧依存の電流ソース（voltage-controlled current source）で、gmは相互コンダクタンス、tauは遅延時間。データシートのSパラはS2Pファイルに書き直して、Qucsに読み込ませた。6～18 GHzでは上手くフィッティングできなかったので、6 GHz以下でパラメータを合わせ込んだ。